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Homray Semiconductor Technology

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Reemplazo del transistor Infineon IGBT FD600R06ME3-S2


Precio de unidad:

No informado

Precio FOB:

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Cantidad mínima de orden:

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Tipo de pago:

T/T (Transferencia Bancaria)

Puerto de preferencia:

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Referencia:

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Descripción

Reemplazo del transistor Infineon IGBT FD600R06ME3-S2
Como proveedor y fabricante líder de módulos de potencia IGBT, suministramos transistores IGBT Infineon reemplazados, como FD600R06ME3-S2. Ofrecemos un precio muy competitivo para usted. póngase en contacto con nosotros para obtener el archivo PDF de especificaciones detalladas. El módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo requerido para el uso del inversor en muchos tipos de equipos industriales, y ha impulsado la tendencia hacia altas corrientes y alto voltaje desde 1990.

  • fabricante del módulo igbt
  • proveedor del módulo de potencia IGBT

Capacidad de producción:

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Plazo de entrega:

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Incoterms:

EXW - Ex Works

Descripción de empaque:

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Más sobre
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  • Fabricante

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  • fabricante del módulo igbt
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Contacto y ubicación
  • icone de usuario Anna Zhang
  • icone de telefone +86 xxxxxxxx
  • map-marker suzhou / jiangsu | China

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