Homray Material Technology

Lingotes de SiC Proveedor ofrece subcalificaciones de SiC de 4 pulgadas y 6 pulgadas
HMT ofrece lingotes de SiC y subestado de SiC de politipo 4H en diferentes grados de calidad para fabricantes mecánicos, investigadores e industriales, están disponibles lingotes de SiC de tipo N y semiaislantes y obleas de SiC.
Brecha de energía de ancho de SiC (brecha de banda) que el ancho de brecha de Si (silicio) existente más de 3 veces más ancho, puede soportar más de 10 veces el voltaje, SiC baja pérdida, características de alta potencia adecuadas para el campo de aplicación de alto voltaje y alta corriente, incluidos vehículos eléctricos, infraestructura de carga de vehículos eléctricos, energía solar y energía eólica marina y otros equipos de generación de energía verde. el material semiconductor de tercera generación SiC puede reducir la pérdida de conversión de energía en un 50%, reducir el costo de conversión de energía en un 20% y mejorar la resistencia de los vehículos eléctricos en un 4%.